標(biāo)準(zhǔn)解讀|《輻射誘生缺陷的深能級瞬態(tài)譜測試方法》

隨著半導(dǎo)體器件在航天、通信等復(fù)雜環(huán)境中的廣泛應(yīng)用，其抗輻射性能成為影響設(shè)備可靠性的重要因素。半導(dǎo)體器件在空間等復(fù)雜環(huán)境中使用時，會受到高能粒子（如質(zhì)子、電子）的輻射影響，導(dǎo)致器件內(nèi)部形成深能級陷阱。這些陷阱會降低載流子壽命，進(jìn)而影響器件性能。深能級瞬態(tài)譜（DLTS）作為一種有效的缺陷檢測技術(shù)，能夠獲取缺陷能級位置、濃度等關(guān)鍵信息，但此前國內(nèi)缺乏統(tǒng)一的DLTS測試標(biāo)準(zhǔn)，難以滿足行業(yè)需求。為了準(zhǔn)確評估輻射環(huán)境對半導(dǎo)體器件的影響，特別是輻射誘生缺陷的特性，中國電子學(xué)會聯(lián)合工業(yè)和信息化部電子第五研究所等單位，發(fā)布了團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《輻射誘生缺陷的深能級瞬態(tài)譜測試方法》（T/CIE 145-2022）。該標(biāo)準(zhǔn)于2022年12月31日發(fā)布，并于2023年1月31日正式實(shí)施，由中國電子學(xué)會可靠性分會提出并歸口。

本標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了利用電容瞬態(tài)深能級瞬態(tài)譜測試輻射誘生缺陷的方法和程序，適用于包含P-N結(jié)、肖特基結(jié)、MOS結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體器件。標(biāo)準(zhǔn)涵蓋了測試目的、測試計劃、被測樣品要求、測試程序以及數(shù)據(jù)處理方法，并提供了詳細(xì)的包括測試原理、示例、數(shù)據(jù)記錄表格和測試報告模板。通過系統(tǒng)化的測試流程，標(biāo)準(zhǔn)確保了測試的科學(xué)性和可重復(fù)性，為半導(dǎo)體器件的輻射誘生缺陷檢測提供了標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)。

該標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布與實(shí)施，為半導(dǎo)體器件的輻射誘生缺陷檢測提供了統(tǒng)一規(guī)范，有助于提升檢測效率和準(zhǔn)確性。通過標(biāo)準(zhǔn)化的測試流程，半導(dǎo)體器件制造商能夠更準(zhǔn)確地評估器件在輻射環(huán)境下的性能退化情況，為抗輻射加固設(shè)計提供依據(jù)，從而提高器件的可靠性和市場競爭力。此外，該標(biāo)準(zhǔn)也為相關(guān)科研工作提供了標(biāo)準(zhǔn)化指導(dǎo)，推動我國半導(dǎo)體器件抗輻射技術(shù)的發(fā)展。

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