標(biāo)準(zhǔn)解讀|《磁控濺射設(shè)備薄膜精度測(cè)試方法》

在半導(dǎo)體制造、裝飾性鍍膜、可穿戴設(shè)備等多個(gè)領(lǐng)域，磁控濺射技術(shù)以其低溫、高速和低損傷的優(yōu)點(diǎn)，展現(xiàn)出了巨大的應(yīng)用潛力和價(jià)值，磁控濺射設(shè)備沉積薄膜的精度則是評(píng)價(jià)磁控濺射設(shè)備和工藝先進(jìn)性的重要手段。在自旋存儲(chǔ)器薄膜、超導(dǎo)薄膜和超晶格薄膜等高精度工藝場(chǎng)景中，薄膜沉積精度的要求極高，國(guó)內(nèi)的科研院所和企業(yè)投入大量精力研發(fā)高精度的磁控濺射設(shè)備，因此，亟需一個(gè)有效的評(píng)價(jià)手段和測(cè)試方法對(duì)磁控濺射設(shè)備和設(shè)備沉積的薄膜精度進(jìn)行評(píng)價(jià)。

在此背景下，由中國(guó)電子學(xué)會(huì)提出并歸口，北京航空航天大學(xué)等多家單位參與編制的團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)《磁控濺射設(shè)備薄膜精度測(cè)試方法》(T/CIE 132-2022)于2022年8月10日正式發(fā)布并實(shí)施，旨在為磁控濺射設(shè)備薄膜精度測(cè)試方法提供規(guī)范，為磁控濺射設(shè)備的國(guó)產(chǎn)化和磁控濺射工藝的提升提供可靠和有效指導(dǎo)。

該標(biāo)準(zhǔn)規(guī)定了磁控濺射設(shè)備薄膜精度的測(cè)試方法、測(cè)試原理、被測(cè)件、測(cè)試環(huán)境和測(cè)試程序等，適用于磁控濺射設(shè)備沉積薄膜精度的驗(yàn)證。標(biāo)準(zhǔn)的主要內(nèi)容包括：(1) 設(shè)備基本條件測(cè)試，包括極限真空度測(cè)試和靶材尺寸測(cè)試，為鍍膜精度測(cè)試提供設(shè)備基礎(chǔ)。(2) 鍍膜精度測(cè)試，針對(duì)磁性材料、非磁金屬材料和無機(jī)非金屬材料，分別提出了具體的沉積精度測(cè)試方法。在標(biāo)準(zhǔn)編制過程中，北京維開科技有限公司、北京北方華創(chuàng)微電子裝備有限公司、致真存儲(chǔ)(北京)科技有限公司等公司對(duì)標(biāo)準(zhǔn)測(cè)試方法進(jìn)行了評(píng)估與驗(yàn)證。

長(zhǎng)期以來，高精度的磁控濺射設(shè)備較為依賴國(guó)外進(jìn)口，國(guó)內(nèi)科研院所和企業(yè)雖投入大量精力研發(fā)，但仍然缺乏對(duì)薄膜精度的有效評(píng)價(jià)方法?！洞趴貫R射設(shè)備薄膜精度測(cè)試方法》團(tuán)體標(biāo)準(zhǔn)的發(fā)布，不僅填補(bǔ)了國(guó)內(nèi)在該領(lǐng)域的空白，也為國(guó)內(nèi)磁控濺射設(shè)備的研發(fā)和工藝提升提供了重要的技術(shù)規(guī)范和指導(dǎo)，將有助于提升國(guó)內(nèi)磁控濺射設(shè)備的生產(chǎn)水平，推動(dòng)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的技術(shù)進(jìn)步，同時(shí)也為國(guó)內(nèi)外相關(guān)行業(yè)提供了參考和借鑒，增強(qiáng)國(guó)內(nèi)相關(guān)產(chǎn)業(yè)的國(guó)際競(jìng)爭(zhēng)力。

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